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CJU65P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:65A
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- 描述
- CJU65P06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU65P06
- 商品编号
- C2981813
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 980pF |
商品特性
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理
- 便携式设备和电池供电系统