CY7C194-20VC
CY7C194-20VC
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- 商品型号
- CY7C194-20VC
- 商品编号
- C2959626
- 商品封装
- BSOJ-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 140mA | |
| 待机电流 | 20mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C194、CY7C195和CY7C196是高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536×4位。通过低电平有效的芯片使能信号(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE₁、CE₂)和三态驱动器可轻松进行内存扩展。它们具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低75%。当芯片使能信号(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE₁、CE₂)和写使能信号(WE)输入均为低电平时,可完成对器件的写入操作。四个输入引脚(I/O₀至I/O₃)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₅)指定的存储位置。读取器件时,将芯片使能信号(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE₁、CE₂)置为低电平,同时写使能信号(WE)保持高电平。在这些条件下,由地址引脚指定的存储位置的内容将出现在四个数据输出引脚上。采用芯片涂层以确保α射线免疫。
商品特性
- 未选中时自动掉电
- 输出使能(OE)功能(7C195和7C196)
- 采用CMOS工艺以实现最佳速度/功耗比
- 高速,tAA = 25
- 低有源功耗880 mW
- 低待机功耗220 mW
- TTL兼容的输入和输出
- 能够承受大于2001V的静电放电
