- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CY7C187-35VC
CY7C187-35VC
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- 商品型号
- CY7C187-35VC
- 商品编号
- C2959635
- 商品封装
- BSOJ-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 70mA | |
| 待机电流 | 20mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C187是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为65,536字×1位。通过低电平有效的片选信号（CE）和三态驱动器，可轻松实现内存扩展。CY7C187具有自动掉电功能，当未被选中时，功耗降低56%。向该器件写入数据时，片选信号（CE）和写使能信号（WE）输入均为低电平。输入引脚（DIN）上的数据被写入地址引脚（A0至A15）指定的存储位置。读取器件时，片选信号（CE）置为低电平，写使能信号（WE）保持高电平。在这些条件下，地址引脚指定的存储位置的内容将出现在数据输出（DOUT）引脚上。当片选信号（CE）为高电平或写使能信号（WE）为低电平时，输出引脚处于高阻状态。CY7C187采用芯片涂层以确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 高速，访问时间为15纳秒
- 采用CMOS技术，实现的速度与功耗平衡
- 低工作功耗，典型值为495毫瓦
- 低待机功耗，典型值为220毫瓦
- 输入和输出与TTL电平兼容
- 当芯片未被选中时，具备自动掉电功能以降低功耗