CY7C182-35SC
CY7C182-35SC
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- 商品型号
- CY7C182-35SC
- 商品编号
- C2959646
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 72Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 140mA | |
| 待机电流 | 20mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C182是一款高速CMOS静态随机存取存储器,采用赛普拉斯高性能CMOS技术制造,组织形式为8192×9位。其访问时间最快可达25 ns,最大功耗仅770 mW。该产品面向高速缓冲存储器应用,具有完全静态操作的特点,无需外部时钟或定时选通信号。当电路未被选中时,自动掉电功能可将功耗降低70%以上。通过低电平有效芯片使能(CE1上划线)、高电平有效芯片使能(CE2)、低电平有效输出使能(OE上划线)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。低电平有效写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。输入/输出引脚在芯片未被选中、输出未使能或写使能(WE)为高电平时保持高阻状态。采用芯片涂层确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 访问时间tAA = 25 ns
- 高速
- x9组织形式非常适合高速缓冲存储器应用
- 采用CMOS技术,实现最佳速度/功耗比
- 低工作功耗 - 770 mW
- 低待机功耗 - 195 mW
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 通过CE1上划线、CE2、OE上划线选项轻松实现存储器扩展
应用领域
- 高速缓冲存储器
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