CY7C166-15VCT

CY7C166是一种高性能CMOS静态RAM，组织为16,384×4位。通过低电平有效的芯片使能（CE）和三态驱动器，提供简便的存储器扩展。CY7C166具有低电平有效的输出使能（OE）功能。该器件具有自动断电功能，取消选择时功耗降低65%。当芯片使能（CE）和写使能（WE）输入均为低电平（且输出使能（OE）为低电平）时，完成写入操作。四个输入/输出引脚（I/O0至I/O3）上的数据被写入到地址引脚（A0至A13）指定的存储器位置。通过将芯片使能（CE）置为低电平（且OE低电平），同时写使能（WE）保持高电平，完成读取操作。在此条件下，地址引脚指定的存储器位置的内容将出现在四个数据I/O引脚上。当芯片使能（CE）为高电平（或输出使能（OE）为高电平）时，I/O引脚保持高阻抗状态。使用芯片涂层确保α粒子免疫。

• 高速
• 15 ns
• 输出使能（OE）功能
• CMOS实现速度与功耗的优化
• 低工作功耗633 mW
• 低待机功耗110 mW
• TTL兼容输入和输出
• 取消选择时自动断电