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CY7C1399-20VC实物图
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CY7C1399-20VC

CY7C1399-20VC

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商品型号
CY7C1399-20VC
商品编号
C2959681
商品封装
BSOJ-28​
包装方式
管装
商品毛重
2.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压3V~3.6V
读写时间20ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流50mA
待机电流50uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

该设备由低电平有效片选信号(CE)、低电平有效输出使能信号(OE)和三态驱动器提供支持。该设备具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低超过95%。低电平有效写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上的地址所指定的存储位置。读取设备时,需选中设备并使能输出,即CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非芯片被选中、输出被使能且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。CY7C1399采用28引脚标准300密耳宽SOJ和TSOP I型封装。CY7C1399是一款高性能3.3V CMOS静态随机存取存储器,组织形式为32768字×8位,易于进行内存扩展。

商品特性

  • 单3.3V电源供电
  • 非常适合低压缓存应用
  • 高速 — 12/15 ns
  • 低工作功耗 — 255 mW(最大值)
  • 低CMOS待机功耗(L) — 180 μW(最大值),f = fMAX
  • 2.0V数据保持(L) — 40 μW
  • 低功耗抗α粒子6T单元
  • 塑料SOJ和TSOP封装

应用领域

  • 低压缓存应用

数据手册PDF