CY7C164-35VC
CY7C164-35VC
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- 商品型号
- CY7C164-35VC
- 商品编号
- C2959657
- 商品封装
- BSOJ-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 105mA | |
| 待机电流 | 20mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C164和CY7C166是高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为16384×4位。通过低电平有效芯片使能(CE)和三态驱动器可轻松进行内存扩展。CY7C166具有低电平有效输出使能(OE)功能。这两款器件都具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低65%。向器件写入数据时,芯片使能(CE)和写使能(WE)输入均为低电平(对于CY7C166,输出使能(OE)也为低电平)。四个输入/输出引脚(I/O0至I/O3)上的数据将写入地址引脚(A0至A13)指定的存储位置。读取器件时,将芯片使能(CE)置为低电平(对于CY7C166,OE也置为低电平),而写使能(WE)保持高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储位置的内容将出现在四个数据I/O引脚上。当芯片使能(CE)为高电平(对于CY7C166,输出使能(OE)为高电平)时,I/O引脚处于高阻态。使用芯片涂层以确保抗α射线干扰。
商品特性
- 高速
- 15 ns
- 输出使能(OE)功能(CY7C166)
- CMOS工艺以实现最佳速度/功耗比
- 低工作功耗 — 633 mW
- 低待机功耗 — 110 mW
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电
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