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CY7C1399BN-12VC实物图
  • CY7C1399BN-12VC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1399BN-12VC

CY7C1399BN-12VC

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商品型号
CY7C1399BN-12VC
商品编号
C2959667
商品封装
BSOJ-28​
包装方式
管装
商品毛重
2.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压3V~3.6V
读写时间12ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流55mA
待机电流500uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1399BN是一款高性能3.3V CMOS静态随机存储器,组织形式为32,768字×8位。通过低电平有效的片选信号(CE)、输出使能信号(OE)和三态驱动器可轻松实现存储器扩展。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低95%以上。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上的地址所指定的存储位置。读取器件时,需选中器件并使能输出,即CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在此条件下,地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。CY7C1399BN有28引脚标准300密耳宽的SOJ和TSOP I型封装。

商品特性

  • 温度范围:工业级为 -40°C至85°C;汽车A类为 -40°C至85°C
  • 单3.3V电源供电
  • 非常适合低压缓存存储器应用
  • 高速:12 ns
  • 低工作功耗
  • 180 mW(最大值)
  • 低功耗α免疫6T单元
  • 提供无铅和含铅的塑料SOJ和TSOP I封装

应用领域

  • 低压缓存存储器

数据手册PDF