CY7C185-35SCT
CY7C185-35SCT
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- 商品型号
- CY7C185-35SCT
- 商品编号
- C2959640
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 100mA | |
| 待机电流 | 15mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C185是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为8192字×8位。通过低电平有效片选信号(CE1上划线)、高电平有效片选信号(CE2)、低电平有效输出使能信号(OE)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。该器件具有自动掉电功能(CE1上划线或CE2),在未选中时可降低70%的功耗。CY7C185采用标准300密耳宽的DIP、SOJ或SOIC封装。低电平有效写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE1上划线和WE输入均为低电平且CE2为高电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据将被写入由地址引脚(A0至A12)上的地址所指定的存储位置。读取器件时,选中器件并使能输出,CE1上划线和OE为低电平有效,CE2为高电平有效,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入或输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入或输出引脚将保持高阻态。采用芯片涂层以确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 高速
- 15 ns
- 快速tDOE
- 低工作功率
- 715 mW
- 低待机功率
- 85 mW
- 采用CMOS技术,实现最佳速度/功率比
- 借助CE1上划线、CE2和OE特性,易于进行内存扩展
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 提供无铅28引脚(300密耳)模制SOJ、28引脚(300密耳)模制SOIC和无铅28引脚(300密耳)模制DIP封装
