CY7C185-35SCT
CY7C185-35SCT
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- 商品型号
- CY7C185-35SCT
- 商品编号
- C2959640
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 100mA | |
| 待机电流 | 15mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C185是一款高性能CMOS静态RAM,组织为8192字×8位。通过低有效的芯片使能(CE1)、高有效的芯片使能(CE2)以及低有效的输出使能(OE)和三态驱动器,提供了简便的存储器扩展。该器件具有自动断电功能(CE1或CE2),当未被选中时,功耗降低70%。CY7C185采用标准的300密耳宽DIP、SOJ或SOIC封装。低有效的写使能信号(WE)控制存储器的写/读操作。当CE1和WE输入均为低电平且CE2为高电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据被写入由地址引脚(A0至A12)上地址指定的存储位置。读取器件通过选中器件并启用输出实现,CE1和OE为低有效,CE2为高有效,同时WE保持无效或高电平。在此条件下,由地址引脚信息寻址的位置内容出现在八个数据输入或输出引脚上。输入或输出引脚保持高阻抗状态,除非芯片被选中、输出被启用且写使能(WE)为高电平。采用芯片涂层确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 高速:15 ns
- 快速输出使能时间
- 低工作功耗:715 mW
- 低待机功耗:85 mW
- CMOS工艺实现速度/功耗比
- 通过CE1、CE2和OE特性实现简便的存储器扩展
- TTL兼容的输入和输出
- 未选中时自动断电
- 提供多种封装:28引脚(300密耳)模压SOJ、28引脚(300密耳)模压SOIC和无铅28引脚(300密耳)模压DIP

