CY7C188-25VC
CY7C188-25VC
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- 商品型号
- CY7C188-25VC
- 商品编号
- C2959631
- 商品封装
- BSOJ-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 288Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 165mA | |
| 待机电流 | 15mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C188是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×9位。通过低电平有效芯片使能（CE1上划线）、高电平有效芯片使能（CE2）、低电平有效输出使能（OE）和三态驱动器，可轻松实现内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低75%以上。向器件写入数据时，将CE1上划线和写使能（WE）输入置为低电平，CE2输入置为高电平，然后将9个I/O引脚（I/O0 - I/O8）上的数据写入地址引脚（A0 - A14）指定的位置。从器件读取数据时，将CE1上划线和OE置为低电平，同时将WE和CE2置为高电平，此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中（CE1上划线为高电平或CE2为低电平）、输出被禁用（OE上划线为高电平）或进行写操作（CE1上划线为低电平、CE2为高电平且WE上划线为低电平）时，9个输入/输出引脚（I/O0 - I/O8）处于高阻态。CY7C188采用标准300密耳宽的小外形J引脚封装（SOJ）。
商品特性
- 高速 — 15 ns
- 未选中时自动掉电
- 低工作功耗 — 660 mW
- 低待机功耗 — 140 mW
- 采用CMOS工艺以实现最佳速度/功耗比
- TTL兼容的输入和输出
- 通过CE1、CE2和OE功能轻松实现内存扩展