CY7C188-15VCT
CY7C188-15VCT
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- 商品型号
- CY7C188-15VCT
- 商品编号
- C2959633
- 商品封装
- BSOJ-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 288Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 120mA | |
| 待机电流 | 10mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C188是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,其组织结构为32,768字×9位。该器件具备自动掉电特性,当未被选中时,功耗可降低超过75%。它通过低电平有效的片选信号(CE1)、高电平有效的片选信号(CE2)、低电平有效的输出使能信号(OE)以及三态驱动器,便于进行存储器扩展。写入操作在CE1和写入使能(WE)为低电平、CE2为高电平时执行,数据通过九个输入/输出引脚(I/O0 - I/O8)写入由地址引脚(A0 - A14)指定的位置。读取操作在CE1和OE为低电平、同时WE和CE2为高电平时执行,此时指定地址存储单元的内容将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或进行写入操作(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平)时,九个输入/输出引脚处于高阻态。
商品特性
- 高速性能:访问时间为15纳秒
- 具备自动掉电功能,当未被选中时可降低功耗
- 低工作功耗:660毫瓦
- 低待机功耗:55毫瓦
- 采用CMOS技术,实现速度与功耗的平衡
- 输入和输出与TTL电平兼容
- 通过CE1、CE2和OE信号便于进行存储器扩展
- 提供非无铅32引脚(300密耳)模压SOJ封装

