CY7C192-35VC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C192-35VC
商品编号: C2959628
商品封装: BSOJ-28
包装方式: 管装
商品毛重: 2.36克(g)

商品参数

商品概述

CY7C191和CY7C192是高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为65,536 x 4位，具有独立的输入/输出。通过低电平有效的芯片使能（CE）和三态驱动器可轻松实现内存扩展。它们具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低75%。当芯片使能（CE）和写使能（WE）输入均为低电平时，可完成对器件的写入操作。四个输入引脚（I0至I3）上的数据将被写入地址引脚（A0至A15）指定的存储位置。读取器件时，将芯片使能（CE）置为低电平，同时写使能（WE）保持高电平。在这些条件下，地址引脚指定的存储位置的内容将出现在四个数据输出引脚上。当写使能（WE）为低电平（仅CY7C192）或芯片使能（CE）为高电平时，输出引脚保持高阻态。芯片涂层可确保抗α射线干扰。

商品特性

高速，访问时间为12纳秒
透明写入功能（型号CY7C191）
采用CMOS工艺，实现速度与功耗的优化平衡
低工作功耗，为880毫瓦
低待机功耗，为220毫瓦
输入和输出与TTL电平兼容
在未选中时自动进入低功耗模式
该器件为高性能CMOS静态随机存取存储器，组织结构为65536乘以4位，具有独立的输入/输出端口
通过低电平有效的片选信号和三态驱动器，便于进行存储器容量扩展
写入操作在片选信号和写使能信号均为低电平时完成
四个输入引脚上的数据将被写入由地址引脚指定的存储单元
读取操作在片选信号为低电平且写使能信号保持高电平时完成
在读取条件下，由地址引脚指定的存储单元内容将出现在四个数据输出引脚上
当写使能信号为低电平（仅型号CY7C192）或片选信号为高电平时，输出引脚保持高阻态
采用芯片涂层以确保对α粒子的抗扰性

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	256Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V
	读写时间	35ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	115mA
	待机电流	10mA
	功能特性	自动掉电功能