CY7C192-45VC
CY7C192-45VC
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- 商品型号
- CY7C192-45VC
- 商品编号
- C2959627
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 45ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 120mA | |
| 待机电流 | 20mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C191和CY7C292是高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为65,536 x 4位，具有独立的输入/输出。通过低电平有效芯片使能（CE）和三态驱动器可轻松进行内存扩展。它们具有自动掉电功能，在未被选中时可将功耗降低75%。当芯片使能（CE）和写使能（WE）输入均为低电平时，可对设备进行写入操作。四个输入引脚（I0至I3）上的数据将被写入地址引脚（A0至A15）指定的存储位置。通过将芯片使能（CE）置为低电平，同时写使能（WE）保持高电平，可完成对设备的读取操作。在这些条件下，地址引脚指定的存储位置的内容将出现在四个数据输出引脚上。当写使能（WE）为低电平（仅适用于7C192）或芯片使能（CE）为高电平时，输出引脚保持高阻抗状态。使用芯片涂层以确保抗α射线干扰。
商品特性
- 未选中时自动掉电
- 透明写入（7C191）
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
- 高速，tAA = 25 ns
- 低有源功耗880 mW
- 低待机功耗220 mW
- TTL兼容输入和输出
- 能够承受大于2001V的静电放电