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VNP35N07-E
全自保护功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNP35N07-E
- 商品编号
- C2935148
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V；35mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 980pF |
商品概述
VNP35N07是一款采用VIPower技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 过压钳位保护：内部设定为70V，结合功率MOSFET级坚固的雪崩特性，使该器件具备无与伦比的坚固性和能量处理能力。
- 线性电流限制电路：无论输入引脚电压如何，都能将漏极电流Id限制在Ilim。
- 过温和短路保护：基于芯片温度感应，且不依赖于输入电压。过温关断在最低150℃时发生。当芯片温度降至135℃以下时，器件会自动重启。
- 状态反馈：在出现过温故障时，通过输入引脚提供状态反馈。
- 符合人体模型的ESD保护。
- 能够由TTL逻辑电路驱动（RDS(on)会略有增加）。
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
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