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VNP35N07-E
全自保护功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNP35N07-E
- 商品编号
- C2935148
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V；35mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 980pF |
商品概述
VNP35N07是一款采用VIPower技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- 静电放电(ESD)保护
- 可直接访问功率MOSFET的栅极(模拟驱动)
- 与标准功率MOSFET兼容
- 采用标准TO - 220封装
应用领域
- 直流 - 直流转换