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STP25N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- 这些器件采用专有的STripFET技术的第七代设计规则，并配备全新的栅极结构。由此得到的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻（RDS(on)）。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP25N10F7
- 商品编号
- C2935187
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 针对同步整流进行优化
- 集成单片类肖特基二极管
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- N沟道、逻辑电平
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 由于源极互连增大，焊点可靠性更高