TDM3482C
N沟道增强模式MOSFET 耐压:40V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 8.5 输入电容(Ciss) 690 反向传输电容Crss(pF) 38 栅极电荷(Qg)
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3482C
- 商品编号
- C2935205
- 商品封装
- PPAK-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
TDM3750采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 7mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 10mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 开关电源中的同步整流
- 硬开关和高速电路
- 电信和工业领域的DC/DC转换
其他推荐
- TS-1102SD-C-C-B
- TS-1102SD-C-O-B
- XKTF-7131-1
- X2081H-2x10-N0
- X2081T-PSN
- X2081WR-2x15-N0SN
- X2540-B1NIB
- X5511FV-40-C80D30-1100
- X5521FV-2x40-C30D1520
- X5511FV-40-C30D1520
- SGM4578YTQG20G/TR
- FN15N100D500PNG
- FMF25FPKR025-LH
- 3KP26CA
- 15KPA220CA
- BPF1005LM03R2400A
- CC0201BRNPO9BN3R0
- CC0201CRNPO8BN4R0
- CC0201KRX5R9BB102
- CC0603KRNPO9BN120
- CFR-25JB-52-330R
