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TDM3482C实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TDM3482C

N沟道增强模式MOSFET 耐压:40V 电流:50A

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描述
类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 8.5 输入电容(Ciss) 690 反向传输电容Crss(pF) 38 栅极电荷(Qg)
品牌名称
Techcode(泰德)
商品型号
TDM3482C
商品编号
C2935205
商品封装
PPAK-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)39W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)5.8nC@10V
输入电容(Ciss)690pF@15V
反向传输电容(Crss)38pF@15V
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

TDM3750采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 7mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 10mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 提供无铅产品
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 开关电源中的同步整流
  • 硬开关和高速电路
  • 电信和工业领域的DC/DC转换

数据手册PDF