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TDM3750
N沟道增强型MOSFET,电流:66A,耐压:120V
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- 描述
- 类型 N 漏源电压(Vdss) 120 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 7 输入电容(Ciss) 3510 反向传输电容Crss(pF) 7 栅极电荷(Qg) 45
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3750
- 商品编号
- C2935197
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准工序要求较低，因此具备卓越的制造重复性。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 7mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 10mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 开关电源中的同步整流
- 硬开关和高速电路
- 电信和工业领域的DC/DC转换
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