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STB8N90K5
1个N沟道 耐压:900V 电流:8A
- 描述
- N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB8N90K5
- 商品编号
- C2935160
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 426pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
-30V/-80A RDS(ON) = 3.8mΩ（典型值），@VGS = -10V RDS(ON) = 6.2mΩ（典型值），@VGS = -4.5V 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件
商品特性
- -30V/-80A
- RDS(ON) = 3.8mΩ（典型值），@VGS = -10V
- RDS(ON) = 6.2mΩ（典型值），@VGS = -4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件
应用领域
- 开关应用-DC/DC电源管理-电池保护
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