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STP20NF06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”™条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP20NF06L
- 商品编号
- C2935176
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这些器件采用意法半导体（ST）专有的STripFET™技术的第七代设计规则，拥有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 耐雪崩技术
- 100%雪崩测试
- 工作温度达175°C
- 高dv/dt能力
- 面向应用的特性表征
应用领域
- 开关应用
- TO - 220FP
- TO - 220
- D2PAK
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