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FDP8440
1个N沟道 耐压:40V 电流:277A
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- 描述
- 特性：RDS(on) = 1.64 mΩ (TTP) @ VGS = 10 V, ID = 80 A。 Qg(tot) = 345 nC (Typ.) @ VGS = 10 V。 低米勒电荷。 低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。 符合RoHS标准。应用：电动工具。 电机驱动器和不间断电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP8440
- 商品编号
- C348532
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 277A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 306W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 450nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 24.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.45nF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下，RDS(on) = 1.64 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，Qg (tot) = 345 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具
- 电机驱动器和不间断电源
- 同步整流
- 电池保护电路