温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(on)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C2910165
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
SVFP7N60CFJD是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子专有F-Cell™结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 7A、600V，栅源电压为10V时，漏源导通电阻（典型值）=0.96Ω
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
应用领域
-AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器