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TWS6428FJ
N沟道增强型功率MOSFET,电流:49A,耐压:30V
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：46.5A 功率(Pd)：23W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TWS6428FJ
- 商品编号
- C2903540
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 947pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 计算、服务器和负载点（POL）应用中的直流-直流（DC/DC）转换器
- 电信和工业领域的隔离式直流-直流（DC/DC）转换器
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 漏极电流（ ID） = -50A
- 栅源电压（VGS） = -10V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值6mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值10.3mΩ