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TW7408FN

1个N沟道耐压:30V 电流:68A 停产

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描述: 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：68A 功率(Pd)：26W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.9mΩ@10V,20A
品牌名称: TWGMC(迪嘉)
商品型号: TW7408FN
商品编号: C2903532
商品封装: TDFN-8L(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.063克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具备出色的反向恢复性能，可省去额外元件，提高系统可靠性。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 70 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg = 81 nC）
低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 722 pF）
经过100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

电信/服务器电源
工业电源
电动汽车充电器
不间断电源/太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	68A
	导通电阻(RDS(on))	9mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	26W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	86nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.69nF
	反向传输电容(Crss)	459pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	530pF