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GL5N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- GL5N04N采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOT - 23 - 3L，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL5N04
- 商品编号
- C2890388
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- -60V、-2.2A，VGS = -10 V 时，RDS(ON) = 150 mΩ
- VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 200 mΩ
- 高密单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 坚固可靠
- 符合 RoHS 标准
- SOT-23 封装