1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
- 1+: ¥4.97 / 个
- 10+: ¥4.06 / 个
- 30+: ¥3.6 / 个
- 100+: ¥3.14 / 个
- 500+: ¥2.87 / 个
- 1000+: ¥2.73 / 个 (折合1圆盘13650元)
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¥4.97 / 个 |
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¥4.06 / 个 |
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¥3.6 / 个 |
100+: |
¥3.14 / 个 |
500+: |
¥2.87 / 个 |
1000+: |
¥2.73 / 个 (折合1圆盘13650元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 200A | |
功率(Pd) | 75W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@10V,40A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 41nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.876nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 58pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |