HYG009N04LS1C2
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
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- 描述
- 40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.05mΩ（典型值）
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG009N04LS1C2
- 商品编号
- C2890387
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.876nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.278nF |
商品概述
NCE3095G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 95A
- 栅源电压VGS = 10V时，典型导通电阻RDS(ON) = 4.1mΩ
- 栅源电压VGS = 4.5V时，典型导通电阻RDS(ON) = 5.1mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 在高抗雪崩能力下具有良好的稳定性和一致性
- 工作温度可达150°C
- 无铅电镀
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流