SN74CB3Q16210DGGR
20位开关,2.5V/3.3V低电压FET总线开关
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- 描述
- 20位双向总线开关,支持2.5V和3.3V工作电压,具有低导通电阻和高带宽数据路径。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- SN74CB3Q16210DGGR
- 商品编号
- C2876902
- 商品封装
- TSSOP-48-6.1mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.333333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 通道数 | - | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 导通时间(ton) | 8ns | |
| 导通电阻(Ron) | 5Ω |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 关闭时间(toff) | 7ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 10pF | |
| 带宽 | 20MHz | |
| 传播延迟(tpd) | 250ps |
商品概述
SN74CB3Q16210 是一种高带宽FET总线开关,它利用电荷泵来提升传输晶体管的栅极电压,提供低且平坦的导通状态电阻(ron)。低且平坦的导通状态电阻允许最小的传播延迟,并支持数据输入/输出(I/O)端口上的轨到轨切换。该器件还具有低数据I/O电容,以尽量减少数据总线上的电容负载和信号失真。特别设计用于支持高带宽应用,SN74CB3Q16210提供了优化的接口解决方案,非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。
SN74CB3Q16210被组织成两个10位总线开关,带有独立的输出使能(1OE, 2OE)输入。它可以作为两个10位总线开关使用,也可以作为一个20位总线开关使用。当OE为低时,相关的10位总线开关闭合,A端口连接到B端口,允许端口间双向数据流动。当OE为高时,相关的10位总线开关断开,在A端口和B端口之间存在高阻态。
此设备完全指定了使用IOFF的部分电源关闭应用。IOFF电路可以防止在设备断电时有害的电流回流。该设备在断电期间具有隔离功能。
为了确保在上电或断电过程中的高阻态,应通过一个上拉电阻将OE连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的吸电流能力决定。
商品特性
- 属于德州仪器Widebus系列
- 高带宽数据路径(高达500 MHz)
- 5V容差的输入/输出,无论设备是开机还是关机状态
- 在整个工作范围内具有低且平坦的导通电阻特性(Ron = 5 Ω 典型值)
- 数据I/O端口支持轨到轨切换
- 在3.3V VCC下支持0V至5V切换
- 在2.5V VCC下支持0V至3.3V切换
- 双向数据流,传播延迟几乎为零
- 低输入/输出电容减少负载和信号失真(Cio(OFF) = 4 pF 典型值)
- 快速开关频率(foe = 20 MHz 最大值)
- 数据和控制输入提供欠压箝位二极管
- 低功耗(ICC = 1 mA 典型值)
- Vcc工作范围从2.3V到3.6V
- 数据I/O支持0V至5V信号电平(0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
- 控制输入可以由TTL或5V/3.3V CMOS输出驱动
- IOFF支持部分断电模式操作
- 锁存性能超过100 mA
- JESD 78,Class II ESD性能按照JESD 22测试
- 2000V人体模型(A114-B,Class II)
- 1000V充电设备模型(C101)
- 支持数字和模拟应用:PCI接口、差分信号接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控
应用领域
- PCI 接口
- 差分信号接口
- 内存交错
- 总线隔离
- 低失真信号门控
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