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NTB35N15T4G
N沟道,电流:37A,耐压:150V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB35N15T4G
- 商品编号
- C328098
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,18.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
这款双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低电压应用而设计，可替代双极型数字晶体管和小信号MOSFET。由于无需偏置电阻，这款双数字FET可替代多个不同偏置电阻值的数字晶体管。
商品特性
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为1.2 A时，最大漏源导通电阻 = 175 mΩ
- 栅源电压为2.5 V、漏极电流为1.0 A时，最大漏源导通电阻 = 215 mΩ
- 栅源电压为1.8 V、漏极电流为0.9 A时，最大漏源导通电阻 = 270 mΩ
- 栅源电压为1.5 V、漏极电流为0.8 A时，最大漏源导通电阻 = 389 mΩ
- 人体模型静电放电保护等级 > 2 kV
- 极低的栅极驱动要求，允许在1.5 V电路中工作（栅源阈值电压 < 1 V）
- 超小封装外形SC - 88/SC - 70 6引脚
- 符合RoHS标准
- 该器件无卤素