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NTR5105PT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:211mA
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- 描述
- 功率 MOSFET，-60 V，-211 mA，单 P 沟道，SOT?23 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR5105PT1G
- 商品编号
- C328099
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 211mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 403mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽技术
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准
应用领域
- 小信号负载开关
- 模拟开关