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SD12CT1G
双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：15A@8/20us
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- 描述
- SD12C旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态事件的影响。出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，使该器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SD12CT1G
- 商品编号
- C328100
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 19V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 15A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 350W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 13.3V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 36pF |
商品概述
SD12C旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使该器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。
商品特性
- 峰值功率 - 350 W（8x20μs）
- 低泄漏
- 低钳位电压
- 适用于便携式电子产品的小型封装
- 符合IEC61000 - 4 - 2 4级标准
- 符合IEC6100 - 4 - 4 4级标准
- 满足16kV人体模型ESD要求
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 手机
- 便携式设备
- 数码相机
- 电源
- 许多其他便携式应用
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