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SN74CB3T3384DWR实物图
  • SN74CB3T3384DWR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SN74CB3T3384DWR

10位FET总线开关 2.5V/3.3V低电压总线开关带5V耐压电平转换器

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描述
高带宽TTL兼容FET总线开关,具有低导通电阻(ron),支持混合模式信号操作和电压跟踪Vcc。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
SN74CB3T3384DWR
商品编号
C2867389
商品封装
SOIC-24-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.983克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
通道数2
工作电压2.3V~3.6V
导通电阻(Ron)
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
导通电容(Con)12pF
传播延迟(tpd)250ps

商品概述

SN74CB3T3384 是一种高速TTL兼容的FET总线开关,具有低导通电阻(ron),可实现最小的传播延迟。该器件通过提供跟踪Vcc的电压转换,支持所有数据I/O端口上的混合模式信号操作。SN74CB3T3384 支持使用5V TTL、3.3V LVTTL和2.5V CMOS切换标准的系统,以及用户定义的切换电平。

输出电压转换跟踪Vcc

  • 支持所有数据I/O端口上的混合模式信号操作
  • 5V输入到3.3V输出电平转换,Vcc为3.3V
  • 5V/3.3V输入到2.5V输出电平转换,Vcc为2.5V
  • 当器件上电或掉电时,5V耐受的I/O
  • 双向数据流,几乎零传播延迟
  • 低导通电阻(ron = 5 Ω 典型值)
  • 低输入/输出电容,减少负载(Cio(0FF) = 5 pF 典型值)
  • 数据和控制输入提供下冲箝位二极管
  • 低功耗(ICC = 40 μA 最大值)

Vcc工作范围从2.3 V到3.6 V

  • 数据I/O支持0至5V信号电平(例如:0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可以由TTL或5V/3.3V/2.5V CMOS输出驱动
  • IOFF支持部分掉电模式操作
  • 锁存性能超过每JESD17 250 mA
  • ESD性能测试符合JESD 22
    • 2000V人体模型(A114-B,II类)
    • 1000V带电设备模型(C101)
  • 支持数字应用:电平转换、存储器交错、总线隔离
  • 适用于低功耗便携式设备

SN74CB3T3384 组织为两个5位总线开关,具有独立的输出使能(1OE, 2OE)输入。它可以作为两个5位总线开关使用,也可以作为一个10位总线开关使用。当OE为低时,相关的5位总线开关闭合,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当OE为高时,相关的5位总线开关断开,在A端口和B端口之间存在高阻态。

该器件完全指定了使用IOFF的部分掉电应用。IOFF功能确保在掉电时不会通过器件产生损坏电流。该器件在掉电期间具有隔离特性。

优惠活动

购买数量

(2000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2000个/圆盘

总价金额:

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