SN74CBTD3384CDBR

SN74CBTD3384C 是一种高速TTL兼容的场效应晶体管总线开关，具有低导通电阻（r_on），可实现最小的传播延迟。该器件在V_CC上集成了一个串联二极管，为5V输入降至3.3V输出电平提供电平转换。SN74CBTD3384C的A端口和B端口上的主动欠压保护电路通过检测欠压事件并确保开关保持在适当的关闭状态来提供对-2V欠压的保护。

SN74CBTD3384C 组织为两个5位总线开关，具有独立的输出使能（1OE, 2OE）输入。它可以作为两个5位总线开关或一个10位总线开关使用。当OE为低时，相应的5位总线开关闭合，A端口连接到B端口，允许端口之间的双向数据流。当OE为高时，相应的5位总线开关断开，在A端口和B端口之间存在高阻态。

该器件完全支持使用Ioff的部分断电应用。Ioff功能确保在断电时不会有损坏性的电流反向流过器件。器件在断电期间具有隔离特性。

为了确保在上电或断电期间的高阻态，应通过一个上拉电阻将OE连接到V_CC；电阻的最小值由驱动器的吸电流能力决定。

• A端口和B端口的欠压保护可达-2V
• 集成到Vcc的二极管提供从5V输入到3.3V输出的电平转换
• 双向数据流，具有接近零的传播延迟
• 低导通状态电阻（Ron = 3 Ω 典型值）
• 低输入/输出电容最小化负载和信号失真（Cio(OFF) = 5 pF 典型值）
• 数据和控制输入提供欠压箝位二极管
• Vcc工作范围为4.5 V至5.5 V
• 数据I/O支持0至5V信号电平（0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V）
• 控制输入可以由TTL或5V/3.3V CMOS输出驱动
• Ioff支持部分断电模式操作
• 锁存性能超过每JESD 78，二级标准100 mA
• ESD性能测试符合JESD 22: 2000V人体模型（A114-B，二级），1000V充电设备模型（C101）
• 支持数字和模拟应用：内存交错、总线隔离、低失真信号门控

• 内存交错
• 总线隔离
• 低失真信号门控