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SN74CB3Q16211DGVR

SN74CB3Q16211 24位开关、2.5V/3.3V低压FET总线开关

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描述: SN74CB3Q16211 器件是一款高带宽FET总线开关，支持在数据I/O端口进行轨到轨开关。该器件具有低通态电阻 (Ron 典型值=5Ω) 和快速开关频率 (foE 最大值=20MHz)。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: SN74CB3Q16211DGVR
商品编号: C2869162
商品封装: TVSOP-56
包装方式: 编带
商品毛重: 0.28克(g)

商品参数

商品概述

SN74CB3Q16211 器件是一款高带宽 FET 总线开关，利用一个电荷泵来提升传输晶体管的栅极电压，从而提供一个平缓的低通态电阻 (rₒₙ)。平缓的低通态电阻可实现超小的传播延迟，并且支持在数据输入/输出 (I/O) 端口上进行轨到轨开关。该器件还具有低的数据 I/O 电容，以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。SN74CB3Q16211 器件专为支持高带宽应用而设计，提供优化的接口解决方案，非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。 SN74CB3Q16211 器件配置为两个具有独立输出使能（1 OE、2 OE）输入的 12 位总线开关。它即可用作 24 个 12 位总线开关，也可用作 1 个 2 位总线开关。当 OE 为低电平时，相关 12 位总线开关打开，并且 A 端口被连接至 B 端口，从而实现两个端口之间的双向数据流。当 OE 为高电平时，相关 12 位总线开关关闭，并且在 A 与 B 端口之间存在高阻抗状态。该器件完全符合使用 Iₒff 的部分断电应用的规范要求。Iₒff 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。为了确保加电或断电期间的高阻抗状态，OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC；该电阻器的最小值由驱动器的电流灌入能力来决定。

商品特性

高带宽数据路径（高达 500MHz）
可耐受 5V 电压并支持器件上电或断电的 I/O
在运行范围内具有平缓的低通态电阻 (rₒₙ) 特性（rₒₙ 典型值 = 5Ω）
支持在数据 I/O 端口进行轨到轨开关
- 3.3V VCC 时，开关范围为 0V 至 5V
- 2.5V VCC 时，开关范围为 0V 至 3.3V
具有接近零传播延迟的双向数据流
低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真（Cio(OFF) 典型值 = 4pF）
快速开关频率（fOE 最大值 = 20MHz）
数据与控制输入提供下冲钳位二极管
低功耗（ICC 典型值 = 1mA）
VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平（0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V）
控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
Ioff 支持局部断电模式运行
闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范
ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
- 2000V 人体放电模型（A114 - B，II 类）
- 1000V 充电器件模型 (C101)

应用领域

AV 接收器
蓝光录像机和播放器
嵌入式 PC
便携式音频接口盒
DLP 正投系统

	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	通道数	24
	工作电压	2.3V~3.6V
	导通时间(ton)	8ns
	导通电阻(Ron)	8Ω

	属性	参数值
	关闭时间(toff)	7.5ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	导通电容(Con)	12.5pF
	带宽	500MHz
	传播延迟(tpd)	250ps