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UCC5390ECQDWVRQ1

适用于SiC/IGBT和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器

描述: 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 UVLO（以 GND 为基准）的汽车类 5kVrms、17A 单通道隔离式栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC5390ECQDWVRQ1
商品编号: C2862507
商品封装: SOIC-8-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.352克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	5000
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~15V
	拉电流(IOH)	17A
	灌电流(IOL)	17A
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有10A 峰值拉电流和10A 峰值灌电流，旨在驱动MOSFET、IGBT 和SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的UVLO2 以GND2 为基准，从而有利于使用双极电源并优化SiC 和IGBT 开关行为和稳健性。 UCC5390-Q1 采用8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可支持高达5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离层寿命超过40 年。凭借高驱动强度和真正的UVLO 检测，该器件非常适用于在车载充电器和牵引逆变器等应用中驱动IGBT 和SiC MOSFET。与光耦合器相比，UCC5390-Q1 的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且CMTI 更高。

商品特性

5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准温度等级1
HBM ESD 分类等级H2
CDM ESD 分类等级C6
以GND2 为基准的12V UVLO
8 引脚DWV（8.5mm 爬电）封装
60ns（典型）传播延迟
较小的部件间传播延迟偏移
100V/ns 最小CMTI
10A 最小峰值电流
3V 至15V 输入电源电压
驱动器电源电压高达33V
输入引脚具有负5V 电压处理能力
安全相关认证：符合DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的7000Vₚₖ 隔离(DWV)（计划）
5000VRMS (DWV) 隔离等级长达1 分钟（符合UL 1577 标准）
符合GB4943.1-2011 的CQC 认证
CMOS 输入
工作结温范围： -40°C 至 +150°C

应用领域

车载充电器
适用于电动汽车的牵引逆变器
直流充电站

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(1个/圆盘，最小起订量 30 个)

个

起订量：30 个1个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交11单

	属性	参数值
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	22ns
	传播延迟 tpLH	100ns
	传播延迟 tpHL	100ns
	静态电流(Iq)	2400uA
	CMTI(kV/us)	100kV/us
	驱动侧工作电压	13.2V~33V