UCC5390ECQDWVQ1
UCC5390ECQDWVQ1
- 描述
- 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 UVLO(以 GND 为基准)的汽车类 5kVrms、17A 单通道隔离式栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC5390ECQDWVQ1
- 商品编号
- C2862554
- 商品封装
- SOIC-8-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器,具有10A 峰值拉电流和10A 峰值灌电流,旨在驱动MOSFET、IGBT 和SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的UVLO2 以GND2 为基准,从而有利于使用双极电源并优化SiC 和IGBT 开关行为和稳健性。 UCC5390-Q1 采用8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装,可支持高达5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离,隔离层寿命超过40 年。凭借高驱动强度和真正的UVLO 检测,该器件非常适用于在车载充电器和牵引逆变器等应用中驱动IGBT 和SiC MOSFET。 与光耦合器相比,UCC5390-Q1 的部件间偏移更低,传播延迟更小,工作温度更高,并且CMTI 更高。
商品特性
- 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准温度等级1
- HBM ESD 分类等级H2
- CDM ESD 分类等级C6
- 以GND2 为基准的12V UVLO
- 8 引脚DWV(8.5mm 爬电)封装
- 60ns(典型)传播延迟
- 较小的部件间传播延迟偏移
- 100V/ns 最小CMTI
- 10A 最小峰值电流
- 3V 至15V 输入电源电压
- 驱动器电源电压高达33V
- 输入引脚具有负5V 电压处理能力
- 安全相关认证:符合DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的7000Vₚₖ 隔离(DWV)(计划)
- 5000VRMS (DWV) 隔离等级长达1 分钟(符合UL 1577 标准)
- 符合GB4943.1-2011 的CQC 认证
- CMOS 输入
- 工作结温范围: -40°C 至 +150°C
应用领域
- 车载充电器
- 适用于电动汽车的牵引逆变器
- 直流充电站
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
