AP2335
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 特性:-20V。 RDS(ON) <25mΩ @VGS=-4.5V,典型值为19mΩ。 RDS(ON) <35mΩ @VGS=-2.5V,典型值为26mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用:接口开关。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP2335
- 商品编号
- C2828582
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 242pF |
商品特性
- -20V,-7A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 25 mΩ,典型值:19 mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 35 mΩ,典型值:26 mΩ
- 先进沟槽技术
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 电源管理
