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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP2335

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:7A

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描述
特性:-20V。 RDS(ON) <25mΩ @VGS=-4.5V,典型值为19mΩ。 RDS(ON) <35mΩ @VGS=-2.5V,典型值为26mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用:接口开关。 负载开关
品牌名称
ALLPOWER(铨力)
商品型号
AP2335
商品编号
C2828582
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)15.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)231pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)242pF

商品特性

  • 40V、20A
  • 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 22 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 30 mΩ
  • 沟槽式DMOS功率MOSFET
  • 快速开关
  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 便携式设备的负载开关
  • 电池开关

数据手册PDF