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AP3910GD
N/P通道互补功率MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:36A
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- 描述
- AP3910GD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP3910GD
- 商品编号
- C2828586
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用TrueSemi先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 36A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -30A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 14 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
-H桥电路-逆变器