1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:36A
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- 5+: ¥1.80144 ¥2.0016
- 50+: ¥1.32669 ¥1.4741
- 150+: ¥1.12329 ¥1.2481
- 500+: ¥0.8694 ¥0.966 (折合1圆盘4830元)
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¥1.80144 ¥2.0016 |
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¥1.32669 ¥1.4741 |
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¥1.12329 ¥1.2481 |
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¥0.8694 ¥0.966 (折合1圆盘4830元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 36A | |
功率(Pd) | 35W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,10A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 790pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 160pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |