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AP4008QD
N沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- 特性：40V,20A。RDS(ON) <22mΩ @VGS=10V。RDS(ON) <30mΩ @VGS=4.5V。Trench DMOS功率MOSFET。快速开关。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：DC/DC转换器。便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP4008QD
- 商品编号
- C2828588
- 商品封装
- PDFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
100%保证抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件 超低导通电阻RDS(ON)
- 先进的高单元密度沟槽技术 N沟道100V快速开关MOSFET
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电机驱动器-电池管理系统(BMS)-高频开关和同步整流