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AP90N03Q实物图
  • AP90N03Q商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP90N03Q

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:90A

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描述
特性:30V,90A。 RDS(ON) < 4.2mΩ @VGS = 10V,典型值为3.6mΩ。 RDS(ON) < 7.0mΩ @VGS = 4.5V,典型值为5.2mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
品牌名称
ALLPOWER(铨力)
商品型号
AP90N03Q
商品编号
C2828593
商品封装
PDFN3X3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.104克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)46W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)1.95nF
反向传输电容(Crss)240pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款功率MOSFET采用TrueSemi先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机。

商品特性

  • 30V、90A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 4.2 mΩ,典型值为3.6 mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 7.0 mΩ,典型值为5.2 mΩ
  • 先进的沟槽技术
  • 产品无铅
  • 出色的RDS(ON)和低栅极电荷

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF