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AP60P20Q
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 特性：20V, -60A。 RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 9.0mΩ @ VGS = -2.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP60P20Q
- 商品编号
- C2828591
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 440pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 572pF |
商品概述
AP4822QD系列采用创新设计和硅制程技术，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。 DFN3*3封装在所有采用红外回流焊技术的商业-工业表面贴装应用中广受青睐，适用于电压转换或开关应用。
商品特性
- 较低的栅极电荷
- 简单的驱动要求
- 快速开关特性
- 符合RoHS标准且无卤素