1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 5+: ¥0.82413 ¥0.9157
- 50+: ¥0.7434 ¥0.826
- 150+: ¥0.70308 ¥0.7812
- 500+: ¥0.67275 ¥0.7475 (折合1圆盘3737.5元)
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¥0.67275 ¥0.7475 (折合1圆盘3737.5元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
功率(Pd) | 21W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V,10A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 900pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |