N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
- 5+: ¥0.647159 / 个
- 50+: ¥0.519349 / 个
- 150+: ¥0.455444 / 个
- 500+: ¥0.407515 / 个
- 3000+: ¥0.369172 / 个 (折合1圆盘1107.52元)
- 6000+: ¥0.35 / 个 (折合1圆盘1050元)
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¥0.407515 / 个 |
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¥0.369172 / 个 (折合1圆盘1107.52元) |
6000+: |
¥0.35 / 个 (折合1圆盘1050元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
功率(Pd) | 540mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@4.5V,930mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.9nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 110pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |