IRLML6402TRPBF
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
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- 描述
- P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLML6402TRPBF
- 商品编号
- C2593
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些P沟道MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理。 标准SOT - 23封装中采用了热增强型大焊盘引线框架，以制造出业界占位面积最小的HEXFET功率MOSFET。这种被称为Micro3的封装，非常适合印刷电路板空间宝贵的应用。Micro3的低外形（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子产品和PCMCIA卡。其热阻和功耗表现极佳。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低外形（<1.1mm）
- 快速开关
- 无铅
- 符合RoHS标准、无卤