1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
- 5+: ¥0.713066 / 个
- 50+: ¥0.579663 / 个
- 150+: ¥0.511056 / 个
- 500+: ¥0.454547 / 个
- 3000+: ¥0.434826 / 个 (折合1圆盘1304.48元)
- 6000+: ¥0.421486 / 个 (折合1圆盘1264.46元)
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¥0.434826 / 个 (折合1圆盘1304.48元) |
6000+: |
¥0.421486 / 个 (折合1圆盘1264.46元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
功率(Pd) | 1.3W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@4.5V,3.7A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 633pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |