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IRF840ASTRLPBF

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:500V 电流:8A

  • SMT扩展库
  • 描述

    N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

  • 品牌名称VISHAY(威世)
  • 商品型号

    IRF840ASTRLPBF
  • 商品编号

    C2606
  • 商品封装

    TO-263-2
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    2克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)850mΩ@10V,4.8A
功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)38nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.018nF
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1018pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK

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30+¥7.056¥7.84
100+¥5.076¥5.64
500+¥4.554¥5.06
800+¥4.32¥4.8¥3840

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