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IRF840ASTRLPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
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- 描述
- N沟道,500V,8A,850mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF840ASTRLPBF
- 商品编号
- C2606
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.018nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低栅极电荷 Qg,降低驱动要求
- 增强栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征电容、雪崩电压和电流
- 明确规定有效 Coss
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关