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IRF840ASTRLPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
- 描述
- N沟道,500V,8A,850mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF840ASTRLPBF
- 商品编号
- C2606
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.018nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 100 V，栅源电压 (VGS) = 10 V 时，导通状态下的漏源电阻 (RDSon) < 3.8 mΩ（典型值：3.4 mΩ）
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电机驱动器
- 开关应用