IRF840ASTRLPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
- SMT扩展库
描述
N沟道,500V,8A,850mΩ@10V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
IRF840ASTRLPBF商品编号
C2606商品封装
TO-263-2包装方式
编带
商品毛重
2克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.8A | |
功率(Pd) | 125W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.018nF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1018pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1018pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
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30+¥7.056¥7.84
100+¥5.076¥5.64
500+¥4.554¥5.06
800+¥4.32¥4.8¥3840
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