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IRFRC20TRLPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFRC20TRLPBF

1个N沟道 耐压:600V 电流:2A

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描述
N沟道,600V,2A,4.4Ω@10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFRC20TRLPBF
商品编号
C3022
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.528克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))4.4Ω@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)350pF
反向传输电容(Crss)8.6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)48pF

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、强化器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFUC、SiHFUC系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFRC20、SiHFRC20)-直引脚(IRFUC20、SiHFUC20)-提供卷带包装-快速开关-易于并联-符合RoHS标准-无卤

数据手册PDF