IRFRC20TRLPBF
1个N沟道 耐压:600V 电流:1.3A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
N沟道,600V,2A,4.4Ω@10V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
IRFRC20TRLPBF商品编号
C3022商品封装
TO-252-2(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
0.528克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4Ω@10V,1.2A | |
功率(Pd) | 42W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 350pF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8.6pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 欧姆 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):350pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:D-Pak
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 欧姆 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):350pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:D-Pak
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥16.73
10+¥14.67
30+¥13.39
100+¥12.07
500+¥10.08
1000+¥9.82¥9820
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
0
SMT仓
0
购买数量(1000个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个1000个/圆盘
近期成交1单
精选推荐