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IRLML6401TRPBF

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:12V 电流:4.3A

    • SMT扩展库
    • 嘉立创SMT补贴
    • PCB免费打样
  • 描述

    P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V

  • 品牌名称Infineon(英飞凌)
  • 商品型号

    IRLML6401TRPBF
  • 商品编号

    C3034
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.035克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V,4.3A
耗散功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))950mV
栅极电荷量(Qg)10nC
输入电容(Ciss@Vds)830pF
反向传输电容(Crss)125pF
工作温度-55℃~+150℃

详细信息
  • 描述

这些P-Channel HEXFET功率MOSFET采用 SOT-23 封装,通过先进的处理技术实现了极低的单位硅面积导通电阻。结合快速开关速度和坚固的设计,HEXFET功率MOSFET为电池管理和负载管理应用提供了高效可靠的解决方案。

产品特性:

  • VDS (Drain-Source Voltage): -12 V
  • RDS(on) max (@VGS=-4.5V): 0.05 Ω
  • Qg (典型栅极电荷): 10 nC
  • ID (连续漏极电流, @TA=25°C): -4.3 A
  • ID (连续漏极电流, @TA=70°C): -3.4 A
  • IDM (脉冲漏极电流): -34 A
  • PD (功耗, @TA=25°C): 1.3 W
  • PD (功耗, @TA=70°C): 0.8 W
  • 线性降额系数: 0.01 W/°C
  • EAS (单脉冲雪崩能量): 33 mJ
  • VGS (栅源电压): ±8.0 V
  • TJ, TSTG (结温和存储温度范围): -55至+150 °C

技术优势:

  • 工业标准引脚布局:与现有的表面贴装技术兼容。
  • 符合RoHS标准且无卤素:环境友好型设计。
  • 多供应商兼容性:便于制造和采购。
  • 增强可靠性:经过工业级认证(MSL1),确保在各种条件下稳定工作。
  • 热阻优化:最大结到环境热阻(RθJA)为75至100 ℃/W,保证了良好的散热性能。

应用领域:

  • 电池管理系统
  • 便携式电子设备中的负载控制
  • 对印刷电路板空间要求严格的应用
  • 需要高性能、低功耗及紧凑型封装的场合
引脚配置

用户手册
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应用笔记
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