1个P沟道 耐压:12V 电流:4.3A
- 5+: ¥0.675398 / 个
- 50+: ¥0.553378 / 个
- 150+: ¥0.490625 / 个
- 500+: ¥0.438937 / 个
- 3000+: ¥0.38161 / 个 (折合1圆盘1144.83元)
- 6000+: ¥0.369408 / 个 (折合1圆盘1108.22元)
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¥0.38161 / 个 (折合1圆盘1144.83元) |
6000+: |
¥0.369408 / 个 (折合1圆盘1108.22元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
功率(Pd) | 1.3W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@4.5V,4.3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 830pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |