温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF3808PBF
1个N沟道 耐压:75V 电流:140A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,75V,140A,7mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF3808PBF
- 商品编号
- C2618
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 890pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6.01nF |
商品概述
这款先进的平面条形HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现极低的单位硅面积导通电阻。该HEXFET功率MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、低RθJC、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性的结合使该设计成为适用于各种应用的高效且可靠的选择。
商品特性
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅
应用领域
- 工业电机驱动