温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFBE20PBF
1个N沟道 耐压:800V 电流:1.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,800V,1.8A,6.5Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBE20PBF
- 商品编号
- C2634
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
第三代HEXFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO-220封装在功率耗散水平约达50 W的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
- 动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 无铅