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IRFB4227PBF

1个N沟道 耐压:200V 电流:65A

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描述
N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
商品型号
IRFB4227PBF
商品编号
C2652
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.75克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)330W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)98nC@10V
输入电容(Ciss)4.6nF
反向传输电容(Crss)91pF
工作温度-40℃~+175℃
配置-

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 针对PDP维持、能量回收和通路开关应用优化关键参数
  • 低 EPULSE 额定值,降低PDP维持、能量回收和通路开关应用中的功耗
  • 低 QG,实现快速响应
  • 高重复峰值电流能力,确保可靠运行
  • 短下降和上升时间,实现快速开关
  • 175°C 工作结温,提高耐用性
  • 重复雪崩能力,保证坚固性和可靠性
  • 300W - 500W D类音频放大器(半桥)

应用领域

-开关模式电源(SMPS)-不间断电源-高速功率开关-硬开关和高频电路-无铅

数据手册PDF