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SIHFIB9N60A-E3
N沟道 MOSFET,电流:9.2A,耐压:600V
- 描述
- N沟道,650V,9.2A,750mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFIB9N60A-E3
- 商品编号
- C2661
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
交货周期
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