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IRFB4020PBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- N沟道,200V,18A,80mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFB4020PBF
- 商品编号
- C2649
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 针对D类音频放大器应用优化关键参数
- 低导通电阻(RDSON),提高效率
- 低栅极电荷(QG)和开关电荷(QSW),改善总谐波失真(THD)并提高效率
- 低反向恢复电荷(QRR),改善总谐波失真(THD)并降低电磁干扰(EMI)
- 175°C工作结温,增强耐用性
- 在半桥配置放大器中,每通道可向8Ω负载提供高达300W的功率